颁发日期： 2004/12/07
修订日期：
GDM BD4148
描述
表面贴装， SWITCHINGDIODE
V Ø LT A G年7 5 V ，C ü R R简T 0的。 2将
该GDMBD4148设计用于杂交厚和薄膜电路，高速开关应用。该装置是由制
硅外延平面工艺和装在塑料表面贴装封装。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF 。
L
b
c
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
最大峰值反向电压
最大反向电压
平均正向电流
浪涌电流（ 1微秒）
码头（注1 ）的典型结电容
最大反向恢复时间（注2 ）
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
C
J
T
RR
P
D
评级
+150
-65 ~ +150
100
75
200
2
4.0
4.0
225
V
V
mA
A
pF
纳秒
mW
单位
在大电气特性= 25 ：
特征
正向电压
反向击穿
反向电流
符号
VF
VR
IR
分钟。
-
100
-
马克斯。
1
-
5
单位
V
V
uA
IF=10mA
IR=100uA
VR=75V
ß .
测试条件
注：1.测得1.0 MHz和应用为0伏的反向电压。
2.测得为10mA应用正向电流，反向电流1.0毫安，逆向6.0volt和RL = 100的电压
3.静电敏感产品处理要求。
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GTM [ GTM CORPORATION ]
