公司
摹DB AS16
描述
V Ø LT A G E 8 5 V ，C ü R R简牛逼2 5 0为m的
颁发日期： 2006/12/12
修订日期：
表面贴装， SWITCHINGDIODE
该GDBAS16设计用于杂交厚和薄膜电路，高速开关应用。
该装置是由硅外延平面工艺制造并装在一个塑料表面贴装
封装。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF 。
L
b
c
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
结温
储存温度
反向电压
重复反向电压
正向电流
重复正向电流
正向浪涌电流（ 1毫秒）
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
R
V
RRM
I
O
I
FM
I
FSM
P
D
评级
+150
-65 ~ +150
85
85
250
500
1000
225
单位
:
:
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性
（在T
A
= 25 ：除非另有说明）
特征
反向击穿电压
符号
V(
BR
)
V
F
(1)
正向电压
V
F
(2)
V
F
(3)
V
F
(4)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
TRR
-
分钟。
85
-
-
-
-
-
马克斯。
-
715
855
1000
1250
1
2
6
单位
V
mV
mV
mV
mV
uA
pF
nS
I
R
=100uA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=85V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安，R
L
=100
测量我
R
=1mA
测试条件
GDBAS16
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GTM [ GTM CORPORATION ]
