颁发日期： 2005年1月10日
修订日期：
GD103SD
表面贴装， SCHOTTKYBARRIERDIODE
V Ø LT A G E 4 0 V ，C ü R R简T第3 5 0为m的
描述
包装尺寸
该GD103SD是专为低正向压降，保护环结构的瞬态保护，可以忽略不计的反向恢复时间
和低反向电容。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF 。
L
b
c
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
储存温度
反向重复峰值电压
RMS反向电压
正向连续电流
重复峰值正向电流（T 1.0S ）
热阻结到环境
在Ta总功耗= 25 ：
符号
TSTG
V
R
V
R（ RMS ）
I
F
I
FRM
R
JA
评级
-65 ~ +125
40
28
350
1.5
625
225
单位
:
V
V
mA
A
:
/W
mW
PD
特性在TA = 25 ：
参数
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）R
V
F(1)
V
F(2)
I
R
C
T
TRR
分钟。
40
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
5.0
10
马克斯。
-
370
600
5.0
-
-
单位
V
mV
mV
A
pF
ns
IR = 10 A
IF=20mA
IF=200mA
VR=30V
VR = 0V ， F = 1MHz的
IF = IR =的200mA， IR （REC） = 20mA时， RL = 100升
测试条件
1/2
GTM [ GTM CORPORATION ]
