欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

GBC817 参数 Datasheet PDF下载

GBC817图片预览
型号: GBC817
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 209 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GBC817的Datasheet PDF文件第2页  
GBC817
描述
包装尺寸
1/2
NP否E PITAX我AL P L ANAR牛逼RANS ISTO ř
该GBC817是专为开关和AF放大器应用,适用于驱动程序存储区和低功率输出存储。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
50
45
5
800
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVEBO
BVCEO
BVces
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
5
45
50
-
-
-
-
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
马克斯。
-
-
-
100
100
700
1.2
630
-
12
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
IE=-100uA
IC=10mA
IC=100uA
VCE=25V
VEB=4V
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 300毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安, F = 100MHZ
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0A
测试条件