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    GBC556 参数 Datasheet PDF下载

    GBC556图片预览
    型号： GBC556
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 183 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GBC556的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2005年3月25日
    修改日期： 2005/10 / 21B
    GBC556
    描述
    ＆放大器;
    补充
    PNP硅晶体管
    该GBC556是专为驱动器和音频放大器的输出级。
    特点
    ＆放大器;
    直流电流增益： 120 〜 800 @V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-2mA
    高
    到GBC546
    D
    包装尺寸
    E
    S1
    TO-92
    A
    性S E为T G中
    飞机
    b1
    L
    REF 。
    A
    S
    1
    b
    b
    1
    C
    e1
    e
    b
    C
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.45
    4.7
    1.02
    -
    0.36
    0.51
    0.36
    0.76
    0.36
    0.51
    REF 。
    D
    E
    L
    e1
    e
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.44
    4.7
    3.30
    3.81
    12.70
    -
    1.150
    1.390
    2.42
    2.66
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25 : )
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（连续）
    器件总功耗@ T
    A
    =25 :
    减免上述25 ：
    器件总功耗@ T
    C
    =25 :
    减免上述25 ：
    工作和存储结温
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    P
    D
    T
    J
    ,
    T
    英镑
    R
    JA
    R
    JC
    评级
    -80
    -65
    -5
    -100
    625
    5.0
    1.5
    12
    -55 ~ +150
    200
    83.3
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    毫瓦/ ：
    W
    毫瓦/ ：
    :
    : /W
    : /W
    热阻，结到环境
    热阻，结到外壳
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ：除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CES
    *V
    CE （ SAT ）
    1
    *V
    CE （ SAT ）
    2
    *V
    BE （ SAT ）
    1
    *V
    BE （ SAT ）
    2
    *V
    BE（上）
    1
    *V
    BE（上）
    2
    *h
    FE
    fT
    COB
    分钟。
    -80
    -65
    -5
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.55
    -
    120
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -0.075
    -0.25
    -0.7
    -1.0
    -0.62
    -0.7
    -
    280
    3.0
    马克斯。
    -
    -
    -
    -100
    -0.3
    -0.65
    -
    -
    -0.7
    -0.82
    800
    -
    6.0
    单位
    V
    V
    V
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = -100uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100uA ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =-40V, V
    BE
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =-0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-5mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =-0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-5mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-2mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-10mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-2mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -10mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    C
    = 0中，f = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    380 S，占空比2 ％
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    A
    120 ~ 220
    B
    180 ~ 460
    C
    420 ~ 800
    GBC556
    页次： 1/2

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