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G9014 参数 Datasheet PDF下载

G9014图片预览
型号: G9014
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内容描述: NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 182 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2004年11月10日
修订日期:
G9014
描述
N P N区E PI TA XI一个L T R一种S I S来ř
该G9014是专为通用放大器应用。
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
性S E为T G中
飞机
b1
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
50
45
5
100
450
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
50
45
5
-
-
-
-
0.58
100
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.14
0.84
0.63
280
270
2.20
马克斯。
-
-
-
50
50
0.3
1
0.7
1000
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
测试条件
分类的hFE的
的hFE
B
100 - 300
C
200-600
D
400-1000
1/3