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G9012 参数 Datasheet PDF下载

G9012图片预览
型号: G9012
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内容描述: PNP晶体管外延 [PNP EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 163 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号G9012的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2004年11月18日
修订日期:
G9012
描述
P N P·E PI TA XI一个L T R一种S I S来ř
该G9012是专为便携式收音机在B类推挽操作1W输出放大器使用。
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
性S E为T G中
飞机
b1
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-40
-20
-5
-500
625
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
hFE1
hFE2
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-40
-20
-5
-
-
-
-
-
112
40
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-0.6
-1.2
-0.9
300
-
-
8
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -25V , IE = 0
VEB = -3V , IC = 0
IC = -500mA , IB = -50mA
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -10mA
VCE = - 1V , IC = -50mA
VCE = - 1V , IC = -500mA
VCE = - 1V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
测试条件
中hFE1分类
hFE1
G
112 - 166
H
144 - 202
L
176 - 300
1/2