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G8550S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: G8550S
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 174 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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公司
G8550S
描述
特点
PNP外延平面TANSISTOR
颁发日期: 2004/04/23
修改日期: 2004/11 / 29B
该G8550S是专为通用放大器应用。
*高直流电流增益: 100-500在IC = 150毫安
*补充到G8050S
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
VCEO
VEBO
评级
+150
-55 ~ +150
-25
-20
-5
-700
625
单位
V
V
V
mA
mW
I
C
P
D
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
ICEX
*V
CE
(SAT)
*V
BE
(上)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-0.5
-1
500
-
-
10
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
V
V
I
C
= -10uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CE
= -20V ,我
E
=0
I
C
= -0.5A ,我
B
=-50mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -20mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
*
脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
1
范围
C
100-180
D
160-300
E
250-500
G8550S
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