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G8051S 参数 Datasheet PDF下载

G8051S图片预览
型号: G8051S
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内容描述: NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 159 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号G8051S的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2003年11月11日
修改日期: 2004/11 / 29B
G8051S
描述
特点
N P N ê P I TA X I A L T R A ñ S I S T Ø ř
低压大电流小信号NPN晶体管
该G8051S是一款低电压高电流小信号NPN晶体管,专为B类推挽音频
放大器的便携式收音机和通用的应用程序。
*集电极电流高达700mA
*集电极发射极电压高达20V
*补充到G8551S
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
( TA = 25 :
参数
中,除非另有规定)
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
结温
存储温度范围
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Tj
Ts
TG
P
D
典型值。
-
-
-
-
-
100
-
-
-
10
中,除非另有规定)
马克斯。
单位
-
V
-
V
-
V
1
uA
100
nA
400
-
0.5
1
-
-
V
V
兆赫
pF
25
20
5
0.7
+150
-55 ~ +150
625
测试条件
I
C
=10uA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=10uA,I
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
BE
=6V,Ic=0
V
CE
=1V,I
C
=150mA
V
CE
=1V,I
C
=150mA
l
C
=500mA,I
B
=50mA
VCE=1V,Ic=150mA
V
CE
= 10V , IC = 20mA时,中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
=0A,f=1MHz
V
V
V
A
mW
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
fT
COB
范围
分钟。
25
20
5
-
-
100
-
-
-
150
-
分类h及
FE
1
C
100-180
D
160-300
E
250-400
G8051S
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