G6402 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G6402
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 381 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

公司

电气特性（ TJ = 25

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

颁发日期： 2005/01/17

修改日期： 2005/ 03 / 22B

除非另有规定编）

分钟。

-20

-0.5

典型值。

-0.1

10.6

2.32

3.68

5.9

3.6

32.4

2.6

740

167

126

马克斯。

100

-1

-10

135

单位

V/ :

mŁ

测试条件

=0, I

=-250uA

参考25 ：我

=-1mA

= V

, I

=-250uA

= -5.0V ，我

=-2.8A

= D

12V

=-20V, V

=-16V, V

= -4.5V ，我

=-3.7A

= -2.5V ，我

=-3.1A

=-4.2A

=-16V

=-4.5V

=-15V

=-4.2A,

=-10V

=6 Ł

=3.6 Ł

=0V

=-15V

f=1.0MHz

符号

DSS

/ TJ

GS （ TH）

政府飞行服务队

GSS

DSS

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ：）

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

27.7

-1.2

= -1.2A ，V

= 0 TJ = 25 ：

=-4.2A,V

的di / dt = 100A / S

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

3.表面安装1

FR4电路板的铜垫; 270 ： /安装在分当W 。铜垫。

特性曲线

2/4

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