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G3407 参数 Datasheet PDF下载

G3407图片预览
型号: G3407
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 303 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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公司
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
颁发日期: 2007/01/12
修订日期:
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
8.2
-
-
-
-
-
7
3.1
3
8.6
5
28.2
13.5
700
120
75
10
马克斯。
-
-3.0
-
±100
-1
-5
52
87
-
-
-
-
-
-
-
840
-
-
-
单位
V
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-4A
V
GS
= ±20V
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-4.1A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.0A
I
D
=-4A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
R
G
=3
R
L
=3.6
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
符号
V
SD
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
2
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
27
15
-
马克斯。
-1.0
-
-
-2.2
单位
V
ns
nC
A
测试条件
I
S
= -1.0A ,V
GS
=0V
I
S
= -4A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.0V
反向恢复时间
T
rr
Q
rr
I
S
反向恢复电荷
连续源电流(
体二极管
)
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 270 : /安装在闽当W 。铜垫。
2
G3407
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