无铅电镀产品
颁发日期: 2005/04/01
修订日期:
G3403
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
75m
-3.7A
该G3403提供了设计者的导通电阻和最佳快速切换的组合,低
成本效益。
该G3403普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用于低
电压应用,如DC / DC转换器。
描述
特点
*简单的驱动要求
*小包装外形
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
-30
f 20
-3.7
-3.0
12
1.38
0.01
-55 ~ +150
评级
90
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
单位
/W
1/4