G3018 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G3018
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内容描述：	N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 338 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005/11/30

修订日期：

电气特性（ TJ = 25

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

静态漏源导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

除非另有规定编）

分钟。

0.8

典型值。

马克斯。

2.0

±1

单位

测试条件

=0, I

=250uA

, I

=0.1mA

= 3V ，我

=10mA

= ±20V

=30V, V

= 4V ，我

=10mA

= 2.5V ，我

=1mA

=0V

=5V

f=1.0MHz

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

符号

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

分钟。

典型值。

0.84

马克斯。

1.5

单位

测试条件

= 100mA时V

=0V

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

3.表面安装1

FR4电路板的铜垫; 270 ： /安装在闽当W 。铜垫。

G3018

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