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    G2SD655 参数 Datasheet PDF下载

    G2SD655图片预览
    型号： G2SD655
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 635 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号G2SD655的Datasheet PDF文件第2页浏览型号G2SD655的Datasheet PDF文件第3页  
    公司
    G2SD655
    硅片ñ NPN外延TA兮人
    应用
    低频功率放大，静音。
    包装尺寸
    D
    E
    S1
    颁发日期： 2004年5月24日
    修改日期： 2004/11 / 29B
    TO-92
    A
    b1
    性S E为T G中
    飞机
    L
    REF 。
    A
    S
    1
    b
    b
    1
    C
    e1
    e
    b
    C
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.45
    4.7
    1.02
    -
    0.36
    0.51
    0.36
    0.76
    0.36
    0.51
    REF 。
    D
    E
    L
    e1
    e
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.44
    4.7
    3.30
    3.81
    12.70
    -
    1.150 1.390
    2.42
    2.66
    绝对最大额定值
    （ TA = 25 ：
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收集电流（DC ）
    收藏峰值电流
    结温
    存储温度范围
    总功耗
    )
    评级
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C（峰值）
    Tj
    TSTG
    P
    D
    30
    15
    5
    0.7
    1.0
    +150
    -55 ~ +150
    500
    mW
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    分钟。
    典型值。
    )
    马克斯。
    单位
    测试条件
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    V
    BE
    VCE （ SAT ）
    h
    FE
    1 *
    1
    fT
    30
    15
    5
    -
    -
    -
    250
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.15
    -
    250
    -
    -
    -
    1.0
    1.0
    0.5
    1200
    -
    V
    V
    V
    uA
    V
    V
    兆赫
    I
    C
    =为10uA ，我
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,R
    BE
    =
    I
    E
    =10uA,I
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E=0
    V
    CE
    =1V,I
    C
    =150mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安*
    2
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 150毫安*
    2
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =150mA
    注：1. G2SD655为h分组
    FE
    如下。
    2.脉冲测试
    等级分类
    秩
    范围
    D
    250-500
    E
    400-800
    F
    600-1200
    G2SD655
    页次： 1/3

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