无铅电镀产品
颁发日期： 2003年6月27日
修改日期： 2006/ 01 / 17C
G2N7002
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
4.5
500mA
描述
该G2N7002普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
工作结存储温度范围
漏源电压
栅源电压
-
连续
-
非重复（ TP
漏电流脉冲
功耗
热阻，结到环境
(2)
符号
TJ ， TSTG
评级
-55 ~ +150
60
±20
±40
500
800
225
556
单位
:
V
V
V
mA
mA
mW
: /W
V
DS
V
GS
50us)
(1)
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
连续漏电流
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（2）脉冲宽度
300US ，占空比
2%.
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
G
FS
西塞
科斯
CRSS
分钟。
60
1
-
-
500
-
-
80
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
2.5
±100
1
-
5
4.5
-
50
25
5
mS
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
单位
V
V
nA
uA
mA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=7.5V, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
→2 V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
（1）在封装的功率耗散，可能会导致在连续串的电流。
G2N7002
页次： 1/3
GTM [ GTM CORPORATION ]
