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G2N3906 参数 Datasheet PDF下载

G2N3906图片预览
型号: G2N3906
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 200 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号G2N3906的Datasheet PDF文件第2页  
公司
G2N3906
描述
特点
该G2N3906是专为通用开关和放大器应用。
*无铅封装可供
*集电极 - 发射极电压: VCEO = -40V
*收集耗散:PC (最大值) = 625mW
*为了配合G2N3904
颁发日期: 2004年8月31日
修改日期: 2005/ 06 / 24C
PNPEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
( TA = 25 :
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
结温
存储温度范围
总功耗
中,除非另有规定)
符号
评级
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Tj
Ts
TG
P
D
中,除非另有规定)
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
-
-
300
-
-
-
4.5
10
35
35
225
75
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
-40
-40
-5
-200
+150
-55 ~ +150
625
V
V
V
mA
mW
电气特性
( TA = 25 :
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEX
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
h
FE
1
h
FE
2
h
FE
3
h
FE
4
h
FE
5
fT
COB
兴业银行
td
tr
TSTG
tf
分钟。
-40
-40
-5
-
-
-
-
-0.65
-
60
80
100
60
30
250
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
测试条件
IC = -10uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCE = -30V , VEB = -3V
VEB=-3V
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -50mA , IB = -5mA
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -50mA , IB = -5mA
VCE = - 1V , IC = -0.1mA
VCE = - 1V , IC = -1mA
VCE = - 1V , IC = -10mA
VCE = - 1V , IC = -50mA
VCE = - 1V , IC = -100mA
VCE = -20V , IE = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 100KHz的
VEB = -0.5V , F = 100KHz的
VCC = -3V , VBE ( OFF ) = - 0.5V , IC = -10mA , IB1 = -1mA
VCC = -3V , VBE ( OFF ) = - 0.5V , IC = -10mA , IB1 = -1mA
VCC = -3V , IC = -10mA , IB1 = -IB2 = -1mA
VCC = -3V , IC = -10mA , IB1 = -IB2 = -1mA
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
G2N3906
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