颁发日期: 2004年11月3日
修订日期:
功耗VS.环境温度
TA( : )
25 50 60 70 80 85 90 95 100 105 110 115 120
钯(MW ) 550 525 515 505 485 475 465 455 445 425 405 385 365
P(D) (M W)
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
T A ( ºC )
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N Ç ú ê RV
磁特性
特征
一个BIN
操作点
BIN B
滨ç
一个BIN
放点BIN B
滨ç
一个BIN
迟滞
BIN B
滨ç
符号
BOP
BOP
BOP
BRP
BRP
BRP
BHYS
BHYS
BHYS
TA = + 25 :
民
最大
0
70
-
100
-
130
-70
0
-100
-
-130
-
40
110
50
150
60
160
TA = 0 : 70 :
民
最大
0
70
-
100
-
130
-70
0
-100
-
-130
-
20
140
30
200
40
220
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
测试电路
14V
Vout1(DO)
RL1
Vout2(DOB)
RL2
RL1 = RL2 = 820欧姆
CL1 = CL2 = 20 pF的
CL1
CL2
3/5