无铅电镀产品
颁发日期: 2005年3月10日
修改日期: 2006/11 / 24C
G1332E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
600m
600mA
描述
该G1332E提供了设计者的导通电阻和最佳快速切换的组合,低
成本效益。
*简单的栅极驱动器
*小包装外形
* 2KV ESD额定值(每MIL -STD- 883D )
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
20
±5
600
470
2.5
1.0
0.008
-55 ~ +150
价值
125
单位
V
V
mA
mA
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
G1332E
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