桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
MMBTH10
■
电气特性
電特性
)
(T
A
=25
= 25° ，除非另有说明
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
特征
特性參數
发射Cuto FF电流
發射極截止電流(V
EB
=2.0v,I
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
集電極截止電流(V
CB
=25v,I
E
=0)
集电极 - 基极击穿电压
集電極基極擊穿電壓(Ic=100uA)
集电极 - 发射极击穿电压
集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA)
发射极 - 基极击穿电压
發射極基極擊穿電壓(I
E
=10uA)
集电极饱和电压
集電極�½和壓降(Ic=4mAdc,I
B
=0.4mA)
直流电流增益
直流電流增益
(V
CE
=10v,I
C
=4mA)
增益带宽积
增益帶寬乘積(V
CE
=10v,I
C
=4mA)
输出电容
輸出電容
(V
CB
=10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
1， FR - 5 = 1.0 × 0.75 × 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 × 0.3 × 0.024in.99.5 ％的氧化铝。
符号
符號
I
EBO
I
CBO
V
（ BR ） CBO
民
最小值
—
典型值
典型值
—
最大
最大值
100
单位
單�½�
n
A
—
—
100
n
A
30
—
—
V
V
（ BR ） CEO
25
—
—
V
V
（ BR ） EBO
3
—
—
V
V
CE （ SAT ）
—
—
0.5
VDC
H
FE
60
—
—
f
T
650
—
—
兆赫
C
ob
—
—
0.7
pF
GSME [ GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. ]
