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GS74108AGJ-8I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108AGJ-8I图片预览

型号：	GS74108AGJ-8I
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内容描述：	512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 647 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS74108ATP/J/X

写周期

参数

写周期时间

地址有效到写结束

芯片使能写操作的结束

数据建立时间

数据保持时间

把脉冲宽度

地址建立时间

写恢复时间（ WE）

写恢复时间（ CE ）

输出低Z从写结束

写在高Z输出

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

符号

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写周期1 ：我们控制

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冯： 1.07 1/2006

7/13

©2001 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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