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GS74104TP-8I 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS74104TP-8I
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内容描述: 1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 410 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74104TP/J
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意:
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下,
商用系列
环境温度下,
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
3.3
最大
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意:
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
冯: 1.07 1/2001
3/12
©1999 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。