GS72116AT-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS72116AT-7
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内容描述：	128K ×16的2Mb SRAM的异步 [128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	18 页 / 491 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

GS72116ATP/J/T/U

电源电流

参数

符号

测试条件

≤

VIL

所有其它输入

≥

VIH或

≤

VIL

分钟。周期

IOUT = 0 mA时

≥

VIH

所有其它输入

≥

VIH或

英镑VIL

分钟。周期

≥

–

0.2 V

所有其它输入

≥

–

0.2 V或

≤

0.2 V

0至70℃

7纳秒

8纳秒

10纳秒

12纳秒

7纳秒

–40

至85℃

8纳秒

10纳秒

12纳秒

操作

供应

当前

国际直拨电话（最大）

145毫安

125毫安

百毫安

85毫安

150毫安

130毫安

105毫安

90毫安

待机

当前

ISB1

（最大）

25毫安

20毫安

15毫安

30毫安

25毫安

20毫安

待机

当前

ISB2

（最大）

5毫安

10毫安

AC测试条件

参数

输入高电平

输入低电平

输入上升时间

输入下降时间

输入参考电平

输出参考电平

输出负载

条件

= 2.4 V

= 0.4 V

TR = 1 V / ns的

TF = 1 V / ns的

1.4 V

图。 1& 2

输出负载1

50Ω

VT = 1.4 V

30pF

输出负载2

3.3 V

5pF

589Ω

434Ω

注意：

1.包括范围和夹具电容。

2.测试条件与输出负载指定所示

图。 1

除非另有说明。

3.输出负载2吨

, t

OLZ

和T

OHZ

冯： 1.04A 10/2002

6/18

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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