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GS70328SJ-8I 参数 Datasheet PDF下载

GS70328SJ-8I图片预览
型号: GS70328SJ-8I
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内容描述: 32K ×8 256Kb的SRAM的异步 [32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 232 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS70328SJ/TS
电源电流
参数符号
测试条件
CE
VIL
所有其它输入
VIH或
VIL
分钟。周期
IOUT = 0 mA时
CE
VIH
所有其它输入
VIH或
英镑VIL
分钟。周期
CE
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
V
DD
- 0.2 V或
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒12纳秒15纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒12纳秒15纳秒
操作
供应
当前
国际直拨电话
75毫安65毫安50毫安50毫安50毫安80毫安70毫安55毫安55毫安55毫安
待机
当前
ISB1
35毫安30毫安25毫安25毫安25毫安40毫安35毫安30毫安30毫安30毫安
待机
当前
ISB2
1毫安
2毫安
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50Ω
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589Ω
434Ω
注意事项:
1.包括范围和夹具电容
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
冯: 1.11 11/2004
4/11
©1999 , GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。