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GS816273C-250 参数 Datasheet PDF下载

GS816273C-250图片预览
型号: GS816273C-250
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内容描述: 256K X 72 18MB S / DCD同步突发静态存储器 [256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 516 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS816273C-250/225  
DC Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage Current  
(except mode pins)  
I
V = 0 to V  
IN DD  
1 uA  
1 uA  
IL  
V
V V  
IN  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
100 uA  
DD  
IH  
IH  
I
ZZ Input Current  
IN1  
0 V V V  
IN  
V
V V  
IN  
100 uA  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
DD  
IL  
IL  
I
SCD and ZQ Input Current  
IN2  
0 V V V  
IN  
I
Output Disable, V  
= 0 to V  
DD  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
1 uA  
1.7 V  
2.4 V  
1 uA  
OL  
OUT  
DDQ  
DDQ  
V
I
I
= 8 mA, V  
= 8 mA, V  
= 2.375 V  
= 3.135 V  
OH2  
OH  
OH  
V
OH3  
V
I
= 8 mA  
OL  
0.4 V  
OL  
Operating Currents  
-250  
0
-225  
Parameter  
Test Conditions  
Mode  
Symbol  
Unit  
40  
0
40  
to 70°C to 85°C to 70°C to 85°C  
Device Selected;  
All other inputs  
V or V  
Operating  
Current  
I
355  
75  
365  
75  
325  
65  
335  
65  
DD  
mA  
(x72)  
(x72)  
Pipeline  
Pipeline  
I
IH  
IL  
DDQ  
3.3 V  
Output open  
Device Selected;  
All other inputs  
V or V  
Operating  
Current  
I
355  
55  
365  
55  
325  
50  
3235  
50  
DD  
mA  
I
IH  
IL  
DDQ  
2.5 V  
Output open  
Standby  
Current  
ZZ V – 0.2 V  
I
mA  
mA  
Pipeline  
Pipeline  
20  
85  
30  
90  
20  
80  
30  
85  
DD  
SB  
Device Deselected;  
All other inputs  
V or V  
Deselect  
Current  
I
DD  
IH  
IL  
Notes:  
1.  
2. All parameters listed are worst case scenario.  
I
and I  
apply to any combination of V , V , V  
, and V operation.  
DDQ2  
DD  
DDQ  
DD3 DD2 DDQ3  
Rev: 1.03 7/2004  
12/25  
© 2002, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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