全球混合模式技术有限公司
描述
VTT吸入/源稳压器
该G2997是3A汇/源跟踪终止
稳压器专为低成本设计，较少的外部
组件系统中的空间是这样的溢价
作为笔记本电脑的应用程序。在G2997集成
高性能低压差线性稳压器，是
可源出和吸收电流可达3 A.这对
VTT的线性调节器与最终实现
快速响应的反馈回路，使小型陶瓷
电容足以让跟踪的VTTREF
在40mV以内的所有条件，包括快速负载瞬变
过性。要实现严格的监管与影响最小
跟踪性，遥感终端，
VTTSNS ，应该连接到正节点
VTT的输出电容器作为来自高一个单独的跟踪
当前行的VTT 。
VTTREF稳压器
该VTTREF块由一个片1/2分频器，
低通滤波器和缓冲器。该稳压器可源出/吸入电流
高达10mA的电流。用一个0.1μF的旁路VTTREF至GND
陶瓷电容器，以确保稳定的操作。以恩
确保更好地启动和瞬态表现，
大1μF的陶瓷电容建议。
上电顺序
为了安全地运行， G2997必须保持电压VIN
比其他输入脚电压较大，这个状态
由于VIN之间的内部寄生二极管
其他PIN的ESD问题。如果在V
IN
电压是低
比其它引脚电压时， G2997将消耗
额外的电流通过时的寄生二极管
通电周期。
软启动
在VTT的软启动功能是通过实现
电流钳，使输出电容为
被控低，恒流，让线性
斜坡上升的输出电压的。电流限制
阈值是在两个阶段使用内部变
电源良好信号。当VTT是上电外
良好的阈值时，电流限制水平为2A 。当VTT
高于（ VTTREF - 5％）或下降到低于（ VTTREF +
5 ％ ）的电流限制水平切换到4 A的阈值
孩子通常是VTTREF
5％ （从外部稳压
灰到里面）和10％ （当它落在外面） 。该
软启动功能是完全对称的，它
作品不仅从GND到VTTREF电压，而且还
从VDDQSNS到VTTREF电压。需要注意的是
VTT的输出是在S3中为高阻抗状态
状态（ S3 =低， S5 =高），其电压可高达
到VDDQSNS电压取决于外部CON-
DITION 。需要注意的是VTT并不一满负荷情况下启动
条件。
G2997
S3 ， S5控制和软关闭
在S3和S5端子应连接到
SLP_S3和SLP_S5信号分别。两
VTTREF和VTT是在正常状态下打开（ S3 =
高， S5 =高） 。 VTTREF保持活动状态，而VTT是
关闭，在待机状态下左高阻抗（ S3中
=低， S5 =高） 。这两种VTT和VTTREF输出
关闭，通过跨放电到接地
在关机状态下最终的MOSFET （ S5 =低） 。该
控制功能被显示在表1中。
表1. S3和S5的控制表
状态
正常
待机
关闭
关闭
S3
Hi
Lo
Lo
Hi
S5
Hi
Hi
Lo
Lo
VTT
1.25V/0.9V
12mV/6mV
（高Z）
0V
（放电）
0V
（放电）
VREF
1.25V/0.9V
1.25V/0.9V
0V
（放电）
0V
（放电）
VTT电流保护
该LDO具有恒定的过流限制（ OCL）为4A 。
这个触发点减少到2A前outputvolt-
年龄来内的目标电压的5％，或变
的目标电压的10％以外。
输入电容
添加电容接近VLDOIN针可以改善
在VTT性能，当快速负载瞬态。在gen-
址， 1/2 COUT推荐的VLDOIN钙
pacitance 。分离VDDQSNS和VLDOIN销
将得到更好的瞬态性能。推荐
电容类型列在表2中。
输出电容
对于稳定运行， VTT的总电容
输出端可以是等于或大于20μF 。
输出电容应靠近VTT输出
放终端尽可能接近，以减少影响
的ESR和ESL 。推荐的电容类型
被列在表2中。
表2中。
帽
C1
C2
MANUF
大冶
诱电
大冶
诱电
产品型号
EMK 325BJ106KD
UMK 212BJ104KG
版本： 1.1
2006年7月6日
电话： 886-3-5788833
http://www.gmt.com.tw
8
GMT [ GLOBAL MIXED-MODE TECHNOLOGY INC ]
