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GHB-0805DU-O 参数 Datasheet PDF下载

GHB-0805DU-O图片预览
型号: GHB-0805DU-O
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内容描述: 这些芯片型LED灯采用磷化铝铟镓(的AlInGaP )材料技术。 [These chip-type LEDs utilize Aluminum Indium Gallium Phosphide (AlInGaP) material technology.]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 103 K
品牌: GILWAY [ GILWAY TECHNICAL LAMP ]
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光学特性
°
T
A
= 25C
发光的
强度
I
v
( MCD )
[1]
@ 20毫安
分钟。
典型值。
25
25
25
40
90
90
90
165
PEAK
波长
l
PEAK
(纳米)
典型值。
595
609
637
643
色,
优势
波长
l
d[2]
(纳米)
典型值。
592
605
626
631
VIEWING
发光的
ê FFI cacy
2
q
1/2
h
v
[3]
(流明/瓦特)
典型值。
典型值。
170
170
170
170
480
370
155
122
部分
GHB-0805DU-Y
GHB-0805DU-O
GHB-0805DU-R
GHB-0805DU-R2
颜色
琥珀
橙色
TS红
注意事项:
1.发光强度,我
v
被测量的空间辐射方向图的可能不能用的机械轴对准的峰值
灯包。
2.主波长
l
d
中,从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。
3.
q
1/2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度。
1.0
I
F
- 正向电流 - 毫安
100
AS的AlInGaP
AMBER
RS的AlInGaP
AED
AS的AlInGaP
相对强度
AS的AlInGaP
0.5
TS的AlInGaP
10
1
TS的AlInGaP
0
500
550
600
650
700
750
0.1
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
波长 - 纳米
I
F最大。
- 最大正向电流 - 毫安
V
F
- 正向电压 - V
1.4
1.2
发光强度
(归一20毫安)
35
30
25
20
Rq
J- á
= 800 ° C / W
15
Rq
J- á
= 60℃ / W
10
5
0
0
20
40
60
80
100
Rq
J- á
= 50℃ / W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
I
F
- 正向电流 - 毫安
1.00
0.90
相对强度
T
A
- 环境温度 - °C
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70
80 90