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    GCM1885C1K162GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0332C2A110JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM2165C1H152FA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM155R71H391KA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0335C1H2R6CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCJ216R71H391MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRT1555C1H360JA02#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    BM1C102F

     作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection（ZCD）降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测，因此无需ZCD用辅助绕组，可减少偏置部电路的零件数量，降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关，有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻，可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能，可降低待机功耗。内置丰富的保护功能（VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等）。
    开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器
    0 ROHM

    GRM1882C1H7R3WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCE188R71H153MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM1882C2A9R9DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0224C1H1R8WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    10-FY07HVA050RG-L984F88

     High efficiency in hard switching and resonant topologies;High speed switching;Low gate charge
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    VS58VLNVWM

     VS58VLNVWM是一款用于浪涌保护、电压控制和电压限制的TVS二极管。该产品用更小型的PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。
    二极管电视
    0 ROHM

    IMBF170R450M1

     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
    暂无信息
    0 INFINEON

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