富士通半导体
数据表
DS601-00002-0v01-E
半定制
CMOS
标准电池
CS402系列
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描述
的CS402系列的28纳米的标准单元是一个线的高性能与最小的CMOS专用集成电路的
功耗。
通过采用核心晶体管具有较高的电流驱动能力，在低电压下工作，工作的
频率大约CS401系列的两倍，实现在电源电压低于10％的
这些CS401系列。
该系列是适用于高性能/高端应用范围从手持式的引擎
终端通信设备。
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特点
•技术
： 28纳米金属栅CMOS
：最大11-金属层。超低介电常数材料用于层间电介质。
：核心晶体管具有不同的阈值电压可在同一芯片上使用
（超低泄漏，低泄漏，标准，高速和超高速） 。
电源电压：内置电源：
+
0.9 V
±
0.09 V
：外接电源：
+
1.8 V
±
0.15 V
（在双电源系统1.8V接口）
结温范围：
−
40
°C
to
+
125
°C
（标准规格）
工作频率：约两倍CS401系列
支持各种类型的富士通半导体开发的高品质的电池组（由低功耗
版本高速版本） 。
支持与SRAM的待机模式和省电模式，低功耗的回忆。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持特殊的接口（ LVDS ， SSTL ，其他） 。
支持边界扫描测试。
支持利用工业标准库。
支持使用行业标准工具。
使用物理原型工具短期发展
使用物理综合工具一通设计
层次化设计环境配套的大型电路
支持信号完整性， EMI噪声降低。
支持静态时序签收。
提高通过引入统计静态时序分析（ SSTA ）的时序收敛。
可制造性设计（ DFM ），能稳定的产品供应和减少的变化。
封装阵容： FBGA ， PBGA ， TEBGA ， FC- BGA
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注：包括正在开发的项目。
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2012.6
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