富士通半导体
数据表
DS601-00001-2v0-E
半定制
CMOS
标准电池
CS401系列
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描述
该CS401系列28纳米标准单元是一条线CMOS ASIC的满足需求，以实现低功耗的
消耗，更高的速度和更高的集成度。
这些细胞提供了漏电流的半导体工业中的最低水平，并且能够imple-
换货核心晶体管的混合物与四个不同的阈值电压，以适合应用
从手持终端到数字视听设备。
在本系列的集成度是CS302系列具有更低的功耗和更高的速度的两倍。
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特点
•技术
： 28纳米金属栅CMOS
：最大11-金属层。超低介电常数材料用于绝缘
跨层。
：四种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准，高速和超高
速度）可以用于在同一芯片上。
电源电压：内置电源：
+
1.0 V
±
0.1 V
：外接电源：
+
1.8 V
±
0.15 V
（在双电源系统1.8V接口）
+
2.5 V
±
0.2 V
（在双电源系统2.5V接口）
+
3.3 V
±
0.3 V
（在双电源系统3.3V接口）
结温范围：
−
40
°C
to
+
125
°C
（标准规格）
门耗电量： 0.61净重/门（工况： 1.0 V，开工率0.5 ， 1兆赫）
支持高品质的，不同类型的富士通半导体开发的电池组（由低功耗
版本高速版本） 。
支持与SRAM的待机模式和省电模式，低功耗的回忆。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持特殊的接口（ LVDS ， SSTL ，其他） 。
支持边界扫描测试。
支持利用工业标准库。
支持使用行业标准工具。
使用物理原型工具短期发展
使用物理综合工具之一孔型设计
层次化设计环境配套的大型电路
支持信号完整性， EMI噪声降低。
（续）
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2012.10
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