富士通半导体
数据表
DS06-20211-1E
半定制
CMOS
标准电池
CS201系列
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描述
该CS201系列65纳米标准单元是一条线CMOS ASIC的满足需求，以实现低功耗的
消耗和更高的集成度。这些细胞提供了漏电流的半导体中的最低水平
业，并能够实现核心晶体管的混合物与三个不同的阈值电压，如
适当的范围从手持终端到数字视听设备的应用程序。
在本系列的集成水平是先前系列具有较低功率消耗的两倍。
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特点
•技术
65纳米硅栅CMOS
： 6至12层的金属布线。
超低K （低介电常数）材料用于绝缘间层。
三种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准和高速）可以是
用于在同一芯片上。
电源电压：支持广泛的
+
0.9 V至
+
1.3 V
工作结温：
−
40
°C
to
+
125
°C
（标准）
门延迟时间
： 11 PS（ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门耗电量： 1.77净重/门（工况： 1.2 V，开工率0.5 ， 1兆赫）
减小芯片尺寸通过创建在I / O宏区域内的金属丝键合焊盘来实现。
支持各种细胞集（从低功率版本的高速版本）
编译单元（ RAM，ROM等）
支持大容量存储器“ 1T -SRAM -Q
®
”*
1
“1T-SRAM-Q
®
“是嵌入式内存，这使得最大128Mbit的。
支持低功耗技术“ CoolAdjust
TM
”*
2
支持超高速（高达10 Gbps ）接口宏
特殊的接口（ LVDS ， SSTL ，其他）
使用物理原型工具短期发展
使用物理综合工具之一孔型设计
层次化设计环境配套的大型电路
支持信号完整性， EMI降噪
支持静态时序签核
（续）
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