CS200A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CS200A
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内容描述：	65纳米CMOS技术 [65nm CMOS Technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 604 K
品牌：	FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]

65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A

描述

硅器件的小型化的进展，

富士通提供了最有竞争力的，世界级的

技术的ASIC和COT客户。富士通

65纳米技术已经通过时， 25％的缩水门

相比于90纳米技术。

富士通将开始带出接受的

科技在2006年初。

特点

•

在30nm的长门，只有75 ％的大小

CS100晶体管。

•快20 〜30％的性能比90纳米

一代。

•晶体管密度翻倍的比较

90纳米世代。

• SRAM单元面积缩小50％，与比较

90纳米世代。

特定网络阳离子

65纳米（ CS200 ）

栅长

CORE VDD

栅氧化层厚度（物理）

栅极

源/漏电极

互连

金属1间距

间电介质

漏极电流增强

30nm

1.0V

1.1nm

镍硅/多晶硅

镍硅

11铜+ 1 -Al系

0.18µm

多孔ULK （K = 2.25）

先进的压力控制

65纳米（ CS200A ）

50nm

1.2V

1.7nm

CoSi2薄膜/多晶硅

CoSi2

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