富士通微电子
数据表
DS06-20210-3Ea
半定制
CMOS
标准电池
CS101系列
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描述
CS101系列， 90纳米标准单元产品，是一款CMOS ASIC满足用户的需求，以实现低功耗
消耗和更高的速度。的晶体管的漏电流是在行业的最低水平。三
类型的核心晶体管具有不同的阈值电压，可根据用户的应用进行混合。
设计规则相匹配的行业标准和宽范围内的IP宏可供使用。
除了提供最多91万门，一体化的实现了约两倍的水平
以往的产品，每个门的功率消耗大约一半也降低到2.7纳瓦。另外，使用高
库速度提高了速度约为1.3倍，为12 ps的门延迟时间。
■
特点
•技术
： 90纳米硅栅CMOS
6〜10的金属层。
低K值（低介电常数）材料用于所有电介质间层。
三种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准，和高速）
可用于在同一芯片上。
设计规则符合行业标准的过程。
电源电压
:
+
0.9 V至
+
1.3 V（支持范围广。 ）
工作结温：
−
40
°C
to
+
125
°C
（标准）
门延迟时间
： TPD
=
12 PS（ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗
： 2.7净重/门（ 1.2 V， 2 NAND ，女/ O
=
1 ，开工率0.5 ） ，
1.8净重/门（ 1.0 V， 2 NAND ，女/ O
=
1 ，开工率0.5 ）
高集成度
：高达91万门
降低芯片大小的由I / O焊盘与实现。
两种类型的库集的支持。 （聚焦性能（ 1.2 V） ，低功耗的支持
（0.9 V至1.3 V））处理
低功耗设计（多电源设计和功率门控）的支持。
符合行业标准的设计规则使非富士通微电子商用宏
可以很容易地整合。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持超高速（高达10 Gbps ）接口宏。
（续）
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2007.11
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