富士通半导体
数据表
DS06-20210-2E
半定制
CMOS
标准电池
CS101系列
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描述
CS101系列， 90纳米标准单元产品，是一款CMOS ASIC满足用户的需求，以实现低功耗
消耗和更高的速度。的晶体管的漏电流是在行业的最低水平。三
类型的核心晶体管具有不同的阈值电压，可根据用户的应用进行混合。
设计规则相匹配的行业标准和宽范围内的IP宏可供使用。
以及提供最大为100万门，集成在达到大约两倍的电平
以往的产品，每个门的功率消耗大约一半也降低到2.7纳瓦。另外，使用高
库速度提高了速度约为1.3倍，为12 ps的门延迟时间。
■
特点
•技术
： 90纳米硅栅CMOS
7至10的金属层。
低K值（低介电常数）材料用于所有电介质间层。
三种不同类型的核心晶体管（低泄漏，标准，和高速）
可用于在同一芯片上。
设计规则符合行业标准的过程。
电源电压
:
+1.2
V
±
0.1 V（标准）
工作结温：
−
40
°C
to
+
125
°C
（标准）
门延迟时间
： TPD
=
12 PS（ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗
：钯
=
2.7净重/兆赫/ BC （ 1.2 V， 2 NAND ，女/ O
=
1)
高集成度
：高达91万门
降低芯片大小的由I / O焊盘与实现。
为广泛的细胞集支持（从低功率的版本，以超高速的版本） 。
符合行业标准的设计规则使非富士通商用宏可以很容易地其纳入
额定。
编译单元（ RAM，ROM等）
支持超高速（高达10 Gbps ）接口宏。
特殊的接口（ LVDS ， SSTL2等）
支持利用工业标准库（ .LIB ） 。
使用工业标准工具和支持的最佳工具的应用程序。
（续）
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FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
