富士通半导体
数据表
DS06-20110-5E
半定制
CMOS
嵌入式阵列
CE81系列
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描述
在CE81系列0.18
µm
CMOS嵌入式阵列是一个线的高度集成的CMOS专用集成电路具有高速
和低功耗。
该系列采用了高达34万门具有12 ps的门延迟时间，结果不但整合
和速度比常规产品高出约三倍。
此外， CE81系列可以在向下的电源电压进行操作，以1.1伏，基本上降低了功率
消费。
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特点
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技术： 0.18
µm
硅栅CMOS ， 3至5层布线
电源电压：
+
1.8 V
±
0.15 V（正常）到
+
1.1 V
±
0.1 V
结温范围：
−40
to
+125 °C
门延迟时间：吨
pd
=
12 PS（ 1.8 V ，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗：P
d
=
8净重/兆赫/ BC （ 1.1 V， 2 - NAND ，女/ O
=
1)
高负载驱动能力：我
OL
=
2/4/8/12毫安可混合
输出缓冲单元与降噪电路
具有片上输入上拉/下拉电阻输入（ 33 kΩ的典型值）和双向缓冲单元
缓冲单元，致力于晶体振荡器
特殊接口P- CML ，LVDS， PCI ，AGP， USB， SDRAM -I / F ， SSTL和其他人（包括那些在
发展）
IP宏： CPU，DSP ，PCI， IEEE 1394 ，USB ，红外，锁相环， ADC，DAC，和其他人（包括那些在人员开发
opment ）
能掺入编译单元（ RAM / ROM /乘法器，及其他）的
可配置的内部总线电路
先进的硬件/软件协同设计环境
采用时序驱动布局工具短期发展
支持静态时序签核
显着减少的时间，用于产生测试向量的时序验证和模拟时间
（续）
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