富士通半导体
数据表
DS06-20112-2E
半定制
CMOS
嵌入式阵列
CE77系列
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描述
在CE77系列0.25
µm
CMOS嵌入式阵列是一个线的高度集成的CMOS专用集成电路具有高速
和低功耗的同时。
CE77系列是在470 K至6980个门加强阵容15帧可用。
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特点
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技术
: 0.25
µm
硅栅CMOS ， 3至4层的布线
电源电压
:
+2.5
V
±
0.2 V （正常）到
+1.5
V
±
0.1 V
结温范围：
−40 °C
to
+125 °C
门延迟时间：吨
pd
=
33 PS （ 2.5 V ，逆变器单元高速型，女/ O
=
1 ，空载）
门耗电量： 0.02
μW / MHz的
（ 1.5 V，F / O
=
1 ，空载）
高负载驱动能力：我
OL
=
2毫安/ 4毫安/ 8毫安/ 12毫安混合的
输出缓冲单元与降噪电路
具有片上输入上拉/下拉电阻输入（ 25 kΩ的典型值）和双向缓冲单元
缓冲单元，致力于晶体振荡器
特殊接口（P- CML ，LVDS的T- LVTTL， SSTL ， PCI，USB， GTL + ，和其他包括根据
发展）
IP宏（ CPU ， PCI ， USB ，红外线， PLL ， DAC ， ADC ，以及其他包括开发中）
能掺入编译单元（ RAM / ROM / FIFO /延时线，及其他）。
可配置的内部总线电路
先进的硬件/软件协同设计环境
支持静态时序签核
显着减少的时间，用于产生测试向量的时序验证和模拟时间
层次化设计环境配套的大型电路
考虑到模拟输入压摆率和详细的RC延迟计算（布局后） （布局前）
试制后，支持发展以最小时间的麻烦
（续）
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