CE66系列嵌入式阵列
0.35微米CMOS工艺
特点
• 0.28μm L
EFF
（ 0.34μm画）
•传播98 ps的延迟
•混合信号宏： A / D和D / A转换器
•高密度扩散RAM和ROM
•独立的内核和I / O电源电压
•输入/输出： 5V ， 3.3V ， 5V宽容
•核心供电电压： 3.3V ， 2.5V 〜 2.0V
•结点温度： -40℃ 〜 125℃
•特殊的I / O功能：PCI ，我
2
C， USB
•模拟和数字PLL
•包装选项： QFP ， HQFP ， LQFP ， TQFP ， PBGA ， FBGA
•支持主要的第三方EDA工具
固定
布局
软宏
w
嵌入式
HARD
万家乐
CLK
时钟树
固定
布局
软宏
5V I / O
5V I / O
5V I / O
5V I / O
5V I / O
3V I / O
3V I / O
3V I / O
PCML
3V I / O
3V I / O
5V I / O
5V I / O
5V I / O
5V I / O
5V I / O
描述
富士通CE66是一系列高性能， CMOS
嵌入式阵列为特色的混合信号宏，扩散
高速的RAM ， ROM和各种其他的嵌入式
功能。在CE66系列结合了密度和
标准单元的时间到市场的性能
利用门阵列。此外， I / O的操作
在5V ， 3.3V和5V容限的条件，是为了
为客户提供高性价比的解决方案采用核心限制和
焊盘限制的设计。在CE66系列具有非常低的
0.29μW /门/ MHz的功耗在3.3V潜力
.
为CE66系列的应用包括消费
市场，通信和网络设计。
P系列与100微米在线焊盘间距
w
FRAME
CE66P1
CE66P2
CE66P3
CE66P4
CE66P5
CE66P6
CE66P7
CE66P8
CE66P9
CE66PA
CE66PB
CE66PC
CE66PD
CE66PE
CE66PF
总盖茨
188K
233K
283K
337K
396K
427K
460K
528K
602K
680K
761K
847K
940K
1037K
1138K
共有垫
144
160
176
192
208
216
224
240
256
272
288
304
320
336
352
信号的
126
138
132
152
178
178
178
206
228
228
228
264
264
264
312
S系列70微米在线焊盘间距
FRAME
CE66S1
CE66S2
CE66S3
CE66S4
CE66S5
CE66S6
CE66S7
CE66S8
CE66S9
CE66SA
总盖茨
91K
113K
137K
164K
207K
256K
311K
391K
481K
580K
共有垫
144
160
176
192
216
240
264
296
328
360
信号的
126
138
152
160
178
193
228
248
248
312
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
