MBM29LV650UE/651UE-
90/12
（续）
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从出厂时的MBM29LV650UE / 651UE被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器会自动抑制电源的损耗写操作。检测编程或擦除的结束
按DQ的数据轮询
7
通过对DQ的触发位功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
该设备电扇区内同时通过福勒 - Nordhiem隧道清除所有位。话
被编程的一个词，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
s
特点
• 0.23
µm
工艺技术
•单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC -标准
采用与单电源闪存相同的软件命令
•地址的命令序列中不关心
•业界标准引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN - 正常弯曲型， TR - 反弯型）
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
90 ns最大访问时间
•灵活的部门架构
百28 32K字部门
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM 128字，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
• WP输入引脚
在V
IL
，使保护一个或最后一个32K字的部门，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除保护
MBM29LV650UE ：
有保障的最后一个32K字扇区的功能（ SA 127 ）
MBM29LV651UE ：
要保护第一32K字扇区的功能（ SA 0 ）
• ACC输入引脚
在V
加
，提高了程序的性能
•嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
•低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
•部门组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
（续）
2
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
