MBM29LV160TE/BE
-70/90/12
s
特点
• 0.23
µm
工艺技术
•单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN-正常弯曲型， TR-反弯型）
48引脚南方东英（包后缀： PCV ）
48球FBGA （包后缀： PBT ）
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
70 ns的最大访问时间
•扇区擦除架构
在字模式之一8K字，二4K字，一是16K字，和31 32K字扇区
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K和31 64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
•低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
•扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
•扇区保护设置功能通过扩展行业保护命令
•通过扩展指令快速编程功能
•临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
•根据CFI （通用闪存接口）
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