2.增强
2.1设备的增强功能和主要特点
第3页
本节总结了增强和FT245R设备的主要功能。欲知详情，请咨询
该
描述和
部分。
集成的时钟电路 -
前几代FTDI的USB到并行FIFO接口的设备需要外部
晶体或陶瓷谐振器。时钟电路已被集成到设备意味着没有晶体或
陶瓷谐振器是必需的。然而，如果需要的话，外部12MHz晶体可以被用作时钟源。
集成的EEPROM -
前几代FTDI的USB到并行FIFO接口的设备需要外部
EEPROM如果设备是使用USB供应商ID （ VID ） ，产品ID （ PID ） ，序列号和产品说明
串比设备本身的默认值等。这个外部EEPROM现已集成到
FT245R芯片意味着所有的设计可以选择更改产品描述信息。的用户区
内部EEPROM可用于存储其它数据。内部EEPROM的可编程电路，通过USB
没有任何额外的电压要求。
预编程的EEPROM -
该FT245R是其内部EEPROM编程以序列号提供
这是唯一的每个单独的设备。这在大多数情况下，将删除到该设备的EEPROM编程的需要。
集成USB电阻器 -
前几代FTDI的USB到并行FIFO接口的设备需要两个
在USBDP和USBDM线和1.5外部串联电阻kΩ上拉电阻上USBDP 。这三个
电阻现在已经被集成到设备上。
综合AVCC过滤 -
前几代FTDI的USB到并行FIFO接口设备有一个单独的
AVCC销 - 供给到内部的PLL 。该引脚需要一个外部R -C滤波器。单独的AVCC引脚现
内部连接到VCC，将滤波器已被集成到芯片上。
外围元件少 -
水晶， EEPROM ， USB电阻和AVCC滤波器的整合将大幅
降低材料清单成本，使用FT245R相比，它的前身FT245BM USB接口设计。
发送和接收缓冲平滑
- 该FT245R的256字节的接收缓冲区和128字节的发送缓冲区利用
新的缓冲区平滑技术，让高数据吞吐量。
增强型异步位邦模式与RD ＃和WR ＃频闪灯 -
该FT245R支持FTDI的芯片BM位
爆炸模式。在一声位模式下，八个并行FIFO数据总线可以从常规的接口模式切换
到一个8位通用I / O端口。数据包可以被发送到设备，它们将被顺序地发送到
接口在由内部计时器（相当于波特率预定标器）控制的速率。与FT245R设备本
模式已经增强，从而使内部的RD ＃和WR ＃选通现在带出的装置可以是
用于允许外部逻辑提供时钟由访问到该位的一声I / O总线。此选项将被更全面地描述
在一个单独的应用笔记
同步位邦模式 -
同步位砰模式不同之处在于异步位爆炸模式
当该装置被写入到接口引脚是只读的。从而使它更容易控制程序来衡量
作为数据返回的响应的输出刺激是同步的输出数据。该功能以前
看到FTDI的FT2232C设备。此选项将在一个单独的应用说明更全面地描述。
低电源电压 -
前几代的芯片需要5V电源VCC引脚上。该FT245R将工作
与Vcc电源范围为3.3V - 5V 。总线供电的设计仍然需要他们的供应由5V的USB
总线，但对于自供电的设计中，如果仅3.3V是可用的，并且没有5V电源，不再有任何需要
额外的外部稳压器。
集成度转换器的FIFO接口和控制信号
- VCCIO引脚供电可从1.8V至5V 。
连接VCCIO引脚连接到1.8V ， 2.8V ， 3.3V或允许器件直接连接到1.8V ， 2.8V或3.3V等
逻辑系列无需外部电平转换器芯片
5V / 3.3V / 2.8V / 1.8V逻辑接口 -
该FT245R提供
真
CMOS驱动输出和TTL电平输入。
FT245R USB UART I.C.数据表版本1.05
©未来技术设备国际有限公司2005年
FTDI [ FUTURE TECHNOLOGY DEVICES INTERNATIONAL LTD. ]
