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XDPS2201

XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器,它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET,例如CoolMOSTM,混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法,可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关,提高了效率。此外,变压器漏感能量被回收,更进一步提高效率。
变压器开关反激控制驱动控制器高压
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IQE013N04LM6SC

英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品, PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V:IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片,该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫与 PCB 连接。因此,它具有几点优势,如热能力增强,先进的功率密度,或具有改善板上布局的可能性。
PC
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GRM188R71E242KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

TLE4999I3

The XENSIV™ TLE4999I3 provides all means that are necessary to fulfill the state-of-the-art functional safety requirements on system level. It is developed in full compliance with ISO 26262. The device provides high redundancy on one chip by means of two sensor elements included within one monolithic silicon design. The two diverse Hall sensor elements („main” and „sub”) have internally separated signal paths within the chip. A plausibility check secures the high diagnostic coverage required for premium functional safety compliant systems up to ASIL-D.
暂无信息
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FQP20N06L

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,21 A,55 mΩ,TO-220
局域网开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

GQM0335G2D5R3BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT0335C2A3R0CA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

TLE94106ES

TLE94106ES 是受保护的六倍半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热以及通风和空调 (HVAC) 活门直流电机控制。该产品是系列产品中的一款,该系列产品提供半桥驱动器,有 3 个输出到 12 个输出,具有直接接口或 SPI 接口。 半桥驱动器设计用于以串联或并联方式驱动直流电机负载。通过 16 位 SPI 接口控制正向 (cw)、反向 (ccw)、制动和高阻抗工作模式。它可以提供短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合极低的静态电流,该器件在汽车应用领域极具吸引力。精密小巧的散热焊盘封装 PG-TSDSO-24,提供良好的热性能,节省 PCB 板空间和成本。
空调PC电机驱动驱动器
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MMBF5103

N沟道低频低噪声放大器
放大器PC开关光电二极管晶体管
0 ONSEMI

BSZ063N04LS6

The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
PC
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GJM0335C1H5R7BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PMV52ENE

30 V, N-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

GQM1555G2D7R5WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GRM1885C1H3R3WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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GRM0223C1E3R7WA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
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