飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V12500H
第3版， 6/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计的频率运行的应用程序
之间960和1215兆赫。这些设备适合于使用脉冲
应用程序。
•
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 200毫安，
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
应用
窄带
宽带
P
OUT
(W)
500峰
500峰
f
（兆赫）
1030
960--1215
G
ps
（ dB）的
19.7
18.5
η
D
(%)
62.0
57.0
MRF6V12500HR3
MRF6V12500HSR3
960-
-1215兆赫， 500 W， 50 V
脉冲
横向N-
声道
RF功率MOSFET
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1030兆赫， 500瓦峰值
动力
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 14 。
•
•
•
•
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF6V12500HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF6V12500HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 500 W脉冲， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
符号
Z
θJC
价值
(2,3)
0.044
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
