欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CDR33BX104AKWS 参数 Datasheet PDF下载

CDR33BX104AKWS图片预览
型号: CDR33BX104AKWS
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体电容器晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 13 页 / 863 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
 浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CDR33BX104AKWS的Datasheet PDF文件第10页  
典型特征 - CW
24
23
22
G
ps
,功率增益(分贝)
21
20
19
18
17
16
15
14
10
100
P
OUT
,输出功率(瓦) CW
G
ps
η
D
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 10毫安
F = 1300 MHz的
T
C
= 25°C
60
55
45
40
35
30
25
20
15
10
400
η
D,
排水Ë FFI效率( % )
50
图9. CW功率增益和漏极效率与输出功率
25
24
G
ps
,功率增益(分贝)
500毫安
350毫安
η
D,
排水Ë FFI效率( % )
23
22
21
20
19
18
17
16
10
100
P
OUT
,输出功率(瓦) CW
百毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 1300 MHz的
T
C
= 25°C
400
I
DQ
= 700毫安
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
10
100
P
OUT
,输出功率(瓦) CW
V
DD
= 50伏直流
F = 1300 MHz的
T
C
= 25°C
400
350毫安
10毫安
百毫安
500毫安
I
DQ
= 700毫安
10毫安
图10. CW功率增益与输出功率
10
9
10
8
平均无故障时间(小时)
10
7
10
6
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
图11. CW效率与输出功率
210
230
250
T
J
,结温( ° C)
这上面的图显示以小时计算的平均无故障时间时,该设备
在V操作
DD
= 50伏直流电,P
OUT
= 230 W¯¯ CW ,和
η
D
= 55%.
MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择
软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
图12. MTTF与结温 - CW
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司