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    C4532X7R1H685K 参数 Datasheet PDF下载

    C4532X7R1H685K图片预览
    型号： C4532X7R1H685K
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 23 页 / 857 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第6页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第7页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第8页浏览型号C4532X7R1H685K的Datasheet PDF文件第9页  
    表4.电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    （续）
    特征
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    功能测试
    (1)
    （飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 100毫安， P
    OUT
    = 1250 W峰值（ 250W的魅力。 ）
    F = 230兆赫， 100
    微秒
    脉冲宽度， 20 ％占空比
    功率增益
    漏EF网络效率
    输入回波损耗
    G
    ps
    D
    IRL
    23.0
    72.5
    —
    24.0
    74.0
    --14
    26.0
    —
    --10
    dB
    %
    dB
    表5.负载失配/耐用性
    （飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）I
    DQ
    = 100毫安
    频率
    （兆赫）
    230
    信号类型
    脉冲
    (100
    微秒，
    20 ％占空比）
    VSWR
    >65 ： 1 ，在所有
    相位角
    P
    OUT
    (W)
    1500峰值
    （ 3分贝高速）
    测试电压V
    DD
    50
    结果
    没有设备退化
    1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线配置应用。导致形成用于鸥
    翼（ GS ）的部件。
    MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司
    3

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