典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
C，电容（pF ）
T
J
= 200°C
T
J
= 150°C
T
J
= 175°C
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
27
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25
24
23
η
D
22
21
20
10
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
30
20
G
ps
80
70
η
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
40
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
30
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 61.23 dBm的（ 1327.39 W）
的P1dB = 60.57 dBm的（ 1140.24 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
31
32
33
34
35
36
37
38
39
10
2000
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
32
I
DQ
= 6000毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
G
ps
，功率增益（分贝）
28
3600毫安
1500毫安
750毫安
24
150毫安
20
V
DD
= 50伏， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
2000
12
0
375毫安
24
28
图7.脉冲输出功率与
输入功率
20
V
DD
= 30 V
16
35 V
40 V
45 V
50 V
16
I
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益与
输出功率
MRF6VP11KHR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
