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C0805C103K5RAC 参数 Datasheet PDF下载

C0805C103K5RAC图片预览
型号: C0805C103K5RAC
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管 [RF Power LDMOS Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 27 页 / 1432 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输入电容
(V
DS
= 13.6伏,V
GS
= 0伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1兆赫)
通用 - 源放大器功率增益
漏EF网络效率
频率
(兆赫)
520
信号
TYPE
CW
P
OUT
(W)
47
( 3分贝高速)
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1.6
49.5
109
pF
pF
pF
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
(飞思卡尔窄带测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 13.6伏,我
DQ
= 10毫安, P
OUT
= 31 W, F = 520兆赫
G
ps
η
D
16.5
70.0
17.7
71.4
19.0
dB
%
负载失配/耐用性
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆的系统,我
DQ
= 10 mA)的
VSWR
>65 : 1 ,在所有相位角
测试电压V
DD
17
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼(GN)的部件。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3