飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V13250H
第0版， 6/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计在1300 MHz的运行应用程序。
这些设备适合于脉冲和连续波应用。
•
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 100毫安
信号类型
脉冲（ 200
微秒，
10 ％占空比）
P
OUT
(W)
250峰
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
22.7
η
D
(%)
57.0
IRL
（ dB）的
--18
MRF6V13250HR3
MRF6V13250HSR3
1300兆赫， 250 W， 50 V
横向N-
声道
RF功率MOSFET
•
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 10毫安，T
C
= 25
°C
信号类型
CW
P
OUT
(W)
230 CW
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
21.0
η
D
(%)
55.0
IRL
（ dB）的
--17
•
能够处理10负载不匹配： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1300兆赫
在所有相位角
•
250瓦峰值脉冲功率，占空比为10％ ， 200
微秒
•
CW有能力
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部匹配的易用性
•
合格高达50伏的最大
DD
手术
•
从20 V特点，以50 V的扩展功率范围
•
集成ESD保护
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 12 。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF6V13250HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF6V13250HSR3
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
P
D
价值
--0.5, +120
--6.0, +10
- 65 〜+ 150
150
225
476
2.38
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度65℃ ， 250W的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度， 10 ％占空比
周期， 50伏直流电，我
DQ
= 100毫安， 1300兆赫
CW ：外壳温度77 ° C， 235宽的CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 10毫安， 1300兆赫
符号
价值
(2,3)
单位
° C / W
Z
θJC
R
θJC
0.07
0.42
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
