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    ATC600F180JT250XT 参数 Datasheet PDF下载

    ATC600F180JT250XT图片预览
    型号： ATC600F180JT250XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF功率LDMOS晶体管 [RF Power LDMOS Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 27 页 / 1432 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATC600F180JT250XT的Datasheet PDF文件第11页  
    典型特征 - 520兆赫
    50
    45
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦）
    40
    35
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    F = 520兆赫
    5
    6
    V
    DD
    = 12.5伏
    P
    in
    = 0.3 W
    V
    DD
    = 13.6伏，P
    in
    = 0.6 W
    V
    DD
    = 13.6伏，P
    in
    = 0.3 W
    V
    DD
    = 12.5伏，P
    in
    = 0.6 W
    V
    GS
    ，的栅 - 源电压（伏）
    图7.输出功率与网关
    - 源电压
    20
    19
    18
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    17
    16
    15
    14
    13
    12
    11
    0.03
    0.1
    P
    in
    ，输入功率（瓦）
    1
    3
    G
    ps
    P
    OUT
    V
    DD
    = 13.6伏，我
    DQ
    = 10毫安
    F = 520兆赫
    η
    D
    90
    80
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦）
    η
    D
    ，漏极效率（ ％ ）
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    图8.功率增益，输出功率和漏
    效率与输入功率
    V
    DD
    = 13.6伏，我
    DQ
    = 10毫安， P
    OUT
    = 31 W¯¯魅力。
    f
    兆赫
    520
    Z
    来源
    Ω
    0.72 + j1.77
    Z
    负载
    Ω
    1.54 + j0.80
    Z
    来源
    通过测量=测试电路的阻抗
    栅极接地。
    Z
    负载
    通过测量=测试电路的阻抗
    漏到地面。
    产量
    匹配
    网
    50
    Ω
    输入
    匹配
    网
    设备
    下
    TEST
    50
    Ω
    Z
    来源
    Z
    负载
    图9.窄带系列等效源和负载阻抗 - 520兆赫
    AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司
    7

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