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ATC600F560JT250XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC600F560JT250XT图片预览
型号: ATC600F560JT250XT
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管 [RF Power LDMOS Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 27 页 / 1432 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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典型特征
1000
测量
±30
MV( RMS) AC @ 1兆赫,V
GS
= 0伏
C,电容(pF )
C
国际空间站
C
OSS
I
DS
,漏极电流( AMPS )
7
6
5
4
3
2
1
2.75伏
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏 - 源极电压(伏)
V
DS
,漏 - 源极电压(伏)
注意:
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
3.25伏
3 VDC
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.25伏
4 VDC
3.75伏
3.5 VDC
100
10
C
RSS
1
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.漏电流与漏极 -
- 源电压
10
9
10
8
I
D
- 2.5安培
平均无故障时间(小时)
10
7
10
6
3.9 AMPS
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
,结温( ° C)
注意:
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
3.2安培
V
DD
= 13.6伏
图4. MTTF与结温 - CW
-
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司