V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， CW
最大输出功率
f
（兆赫）
2110
2140
2170
Z
in
(Ω)
68.0 – j42.0
60.6 – j37.0
54.0 – j31.0
Z
负载（1）
(Ω)
7.20 – j14.0
7.40 – j14.4
7.30 – j14.7
P1dB
（ dBm的）
45.8
45.7
45.7
(W)
38
37
37
PAE （％）
52.2
51.9
51.6
（ dBm的）
46.4
46.4
46.4
P3dB
(W)
44
44
44
PAE （％）
53.1
52.7
52.2
（ 1 ）负载阻抗，以获得最佳的P1dB功率。
Z
in
=阻抗从输入接点到地面测量。
Z
负载
=阻抗从漏极接触到地面测量。
设备
下
TEST
产量
负载牵引
调谐器
Z
in
Z
负载
图12.运营商侧负载牵引性能 - 最大的P1dB调整
V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， CW
最大功率附加效率
f
（兆赫）
2110
2140
2170
Z
in
(Ω)
60.0 – j53.0
54.0 – j46.0
48.0 – j39.0
Z
负载（1）
(Ω)
9.10 – j8.80
8.20 – j9.10
7.90 – j9.60
P1dB
（ dBm的）
44.4
44.4
44.4
(W)
28
28
28
PAE （％）
58.1
57.6
57.4
（ dBm的）
45.0
44.9
45.0
P3dB
(W)
32.0
31.0
32.0
PAE （％）
57.6
57.0
56.7
（1 ）负载阻抗为最佳的P1dB效率。
Z
in
=阻抗从输入接点到地面测量。
Z
负载
=阻抗从漏极接触到地面测量。
设备
下
TEST
产量
负载牵引
调谐器
Z
in
Z
负载
图13.运营商侧负载牵引性能 - 最大功率附加效率优化
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
9
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
