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ATC600B200BT250XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC600B200BT250XT图片预览
型号: ATC600B200BT250XT
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内容描述: N沟道增强模式横向的MOSFET [N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 525 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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F = 545 MHz的
Z
负载
F = 545 MHz的
Z
来源
F = 385 MHz的
Z
o
= 25
Ω
F = 385 MHz的
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 1100毫安,P
OUT
= 25瓦的魅力。
f
兆赫
385
405
425
445
465
485
505
525
545
Z
来源
W
4.735 + j2.917
4.073 + j4.202
3.987 + j5.466
3.909 + j6.743
4.094 + j7.661
4.128 + j9.483
4.446 + j11.620
4.921 + j13.710
5.437 + j15.838
Z
负载
W
2.229 + j5.627
1.809 + j6.123
1.842 + j6.684
1.767 + j7.187
1.822 + j7.338
1.566 + j8.397
1.525 + j9.787
1.769 + j11.120
2.023 + j12.467
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
输入
匹配
设备
TEST
产量
匹配
Z
来源
Z
负载
图16.系列等效源和负载阻抗
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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